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STB7ANM60N中文资料

STB7ANM60N图片

STB7ANM60N外观图

  • 大小:1148KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 600V DPAK
  • 现有数量:146现货
  • 价格:1 : ¥12.80000剪切带(CT)1,000 : ¥6.29759卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q101, MDmesh? II
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):900 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):14 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):363 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):45W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

STB7ANM60N供应商

更新时间:2023-02-01 16:56:15
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